タイトル・発表先
研究成果番号
967
登録日時
2007.01.30 10:55
DOI
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Epitaxially Ordered Structure in the Buried Oxide Layer of SIMOX Wafers
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface-4, 2000: Proceedings of the Fourth International Symposium on the Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface
巻
2000-2
号
発行年
2000
頁
241-249
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
Fouth International Symposium on the Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 4
開催日
2000.05.15-05.18
開催都市
Tronto, Canada
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0001281
Shimura
Takayoshi
Osaka University
共著者 1
0004419
Hosoi
Takuji
Osaka University
共著者 2
0005066
Umeno
Masataka
Osaka University
関連課題情報
課題番号
1999A0024
ビームライン
BL09XU
実験責任者
志村 考功