タイトル・発表先
研究成果番号
6683
登録日時
2007.01.30 10:56
DOI
10.1143/JJAP.43.L1029
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Intrinsic Valence Band Study of Molecular-Beam-Epitaxy-Grown GaAs and GaN by High-Resolution Hard-X-ray Photoemission Spectroscopy
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Japanese Journal of Applied Physics
巻
43
号
8A
発行年
2004
頁
L1029-L1031
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0001835
Kobayashi
Keisuke
JASRI
共著者 1
0001866
Takata
Yasutaka
RIKEN
共著者 2
0002605
Yamamoto
Tetsuya
Kouchi University of Technology
共著者 3
0008826
Kim
Jung-Jin
Tohoku University
共著者 4
0008736
Makino
Hisao
Tohoku University
共著者 5
0000342
Tamasaku
Kenji
RIKEN
共著者 6
0000387
Yabashi
Makina
JASRI
共著者 7
0000179
Ishikawa
Tetsuya
RIKEN
共著者 8
0001732
Shin
Shik
RIKEN
共著者 9
0008791
Yao
Takafumi
Tohoku University
関連課題情報
課題番号
None
ビームライン
BL29XU
利用施設
SPring-8
サイト内分類項目
Experiment