タイトル・発表先
研究成果番号
47730
登録日時
2024.11.01 10:09
DOI
10.35848/1882-0786/abace0
オープンアクセスジャーナルURL
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/abace0
英語タイトル
Reduction in Dislocation Densities in 4H-SiC Bulk Crystal Grown at High Growth Rate by High-temperature Gas-source Method
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Applied Physics Express
巻
13
号
9
発行年
2020
頁
095502
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
[A30] 物質科学・材料科学
研究手法
[M60] X線イメージング
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0055401
Hoshino
Norihiro
Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 1
0009160
Kamata
Isaho
Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 2
Kanda
Takahiro
MIRISE Technologies Corporation, DENSO CORPORATION Advanced Research and Innovation Center
共著者 3
Tokuda
Yuichiro
MIRISE Technologies Corporation
共著者 4
Kuno
Hironari
MIRISE Technologies Corporation
共著者 5
0013411
Tsuchida
Hidekazu
Central Research Institute of Electric Power Industry
関連課題情報
課題番号
2016B3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
鎌田 功穂
課題番号
2017A3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
鎌田 功穂
課題番号
2017B3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
鎌田 功穂
課題番号
2018A3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
鎌田 功穂
課題番号
2018B3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
鎌田 功穂
課題番号
2019A3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
鎌田 功穂
課題番号
2019B3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
鎌田 功穂
課題番号
2020A3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
鎌田 功穂