タイトル・発表先
研究成果番号
4766
登録日時
2007.01.30 10:56
DOI
10.1088/0953-8984/14/44/330
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Charge Density Analysis of SiO
2
under Pressures over 50GPa Using a New Diamond Anvil Cell for Single-Crystal Structure Analysis
日本語タイトル
発表形式
原著論文/博士論文/査読付プロシーディングス
発表先(出版)
誌名
Journal of Physics: Condensed Matter
巻
14
号
44
発行年
2002
頁
10545-10551
発表先(口頭/ポスター発表)
講演会名
International Conference on High Pressure Science and Technology (AIRAPT)
開催日
2001.07.23−07.27
開催都市
Beijing, China
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0003066
Yamanaka
Takamitsu
Osaka University
共著者 1
0004351
Fukuda
Tomoo
Osaka University
共著者 2
0005508
Komatsu
Yutaka
Osaka University
共著者 3
Sumiya
Hitoshi
Sumitomo Electric Industries, Ltd
関連課題情報
課題番号
2002B0013
ビームライン
BL02B1
実験責任者
山中 高光