タイトル・発表先
研究成果番号
42999
登録日時
2022.02.10 09:34
DOI
10.35848/1347-4065/ac3dca
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Design and Demonstration of EID MOS-HEMTs on Si Substrate with Normally Depleted AlGaN/GaN Epitaxial Layer
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Japanese Journal of Applied Physics
巻
61
号
SC
発行年
2022
頁
SC1015
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
[A80] 産業利用
研究手法
[M50] 光電子分光
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0053013
Nanjo
Takuma
Mitsubishi Electric Corporation
共著者 1
0039245
Imazawa
Takashi
Mitsubishi Electric Corporation
共著者 2
0034687
Kiyoi
Akira
Mitsubishi Electric Corporation
共著者 3
Hayashida
Tetsuro
Mitsubishi Electric Corporation
共著者 4
Watahiki
Tatsuro
Mitsubishi Electric Corporation
共著者 5
Miura
Naruhisa
Mitsubishi Electric Corporation
関連課題情報
課題番号
2019B5130
ビームライン
BL16XU
実験責任者
今澤 貴史
課題番号
2020A5131
ビームライン
BL16XU
実験責任者
今澤 貴史
課題番号
2021A5130
ビームライン
BL16XU
実験責任者
今澤 貴史