タイトル・発表先
41638
2021.04.23 16:05
10.35848/1347-4065/abf6e8
Dependence of the Interfacial Atomic Structure of SiO2/GaN upon SiO2 Deposition Methods and Post-deposition Annealing, as Revealed by X-ray Absorption Spectroscopy
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
Japanese Journal of Applied Physics
60 5 2021 050902
[A80] 産業利用
[M40] X線・軟X線吸収分光
著者情報
 
主著者 0006869 Isomura Noritake Toyota Central R&D Laboratories, Inc.
共著者 1 Soejima Narumasa Toyota Central R&D Laboratories, Inc.
共著者 2 0017298 Mori Tomohiko Toyota Central R&D Laboratories, Inc.
共著者 3 Ikeda Satoshi MIRISE Technologies Corporation
共著者 4 Watanabe Atsushi MIRISE Technologies Corporation
共著者 5 Okawa Takashi MIRISE Technologies Corporation
共著者 6 0037819 Tomita Hidemoto MIRISE Technologies Corporation
関連課題情報
2020A5071 BL16XU 高橋 直子
2020A5371 BL16B2 磯村 典武