タイトル・発表先
研究成果番号
3982
登録日時
2007.01.30 10:56
DOI
10.1143/JJAP.41.6247
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
X-Ray Diffractometer for Studies on Molecular-Beam-Epitaxy Growth of III-V Semiconductors
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Japanese Journal of Applied Physics
巻
41
号
10
発行年
2002
頁
6247-6251
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0001168
Takahasi
Masamitu
JAERI
共著者 1
0001167
Yoneda
Yasuhiro
JAERI
共著者 2
0004796
Inoue
Hirotane
Himeji Institute of Technology
共著者 3
0002061
Yamamoto
Naomasa
Himeji Institute of Technology
共著者 4
0000302
Mizuki
Jun'ichiro
JAERI
関連課題情報
課題番号
None
ビームライン
BL11XU
利用施設
SPring-8
サイト内分類項目
Experiment