タイトル・発表先
研究成果番号
39556
登録日時
2020.03.06 11:16
DOI
10.4028/www.scientific.net/MSF.858.61
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Doping Fluctuation and Defect Formation in Fast 4H-SiC Crystal Growth Using a High-Temperature Gas Source Method
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Materials Science Forum
巻
858
号
発行年
2016
頁
61
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
[A80] 産業利用
研究手法
[M60] X線イメージング
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0009160
Kamata
Isaho
Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 1
Hoshino
Norihiro
共著者 2
0039591
Tokuda
Yuichiro
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
共著者 3
Makino
Emi
共著者 4
0006527
Sugiyama
Naohiro
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
共著者 5
Kojima
Jun
共著者 6
0013411
Tsuchida
Hidekazu
Central Research Institute of Electric Power Industry
関連課題情報
課題番号
2015B3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
鎌田 功穂
課題番号
2015A3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
鎌田 功穂
課題番号
2014B3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
鎌田 功穂
課題番号
2014A3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
土田 秀一