タイトル・発表先
39555
2020.03.06 11:05
10.1016/j.jcrysgro.2017.08.004
Fast Growth of n-type 4H-SiC Bulk Crystal by Gas-Source Method
原著論文/博士論文/査読付プロシーディングス
Journal of Crystal Growth
478 2017 9-16
[A80] 産業利用
[M60] X線イメージング
著者情報
 
主著者 Hoshino Norihiro Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 1 0009160 Kamata Isaho Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 2 0039591 Tokuda Yuichiro Denso Corporation, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
共著者 3 Makino Emi Denso Corporation
共著者 4 Kanda Takahiro Denso Corporation
共著者 5 0006527 Sugiyama Naohiro National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
共著者 6 Kuno Hironari Denso Corporation
共著者 7 Kojima Jun Denso Corporation
共著者 8 0013411 Tsuchida Hidekazu Central Research Institute of Electric Power Industry
関連課題情報
2016B3321 BL08B2 鎌田 功穂
2016A3321 BL08B2 鎌田 功穂
2015B3321 BL08B2 鎌田 功穂