タイトル・発表先
39554
2020.03.06 10:51
10.1016/j.jcrysgro.2017.01.004
Observation of Double Shockley Stacking Fault Expansion in Heavily-Nitrogen-Doped 4H-SiC using PL Technique
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
Journal of Crystal Growth
468 2017 889-893
[A80] 産業利用
[M60] X線イメージング
著者情報
 
主著者 0039591 Tokuda Yuichiro National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Denso Corporation, Kyoto University
共著者 1 0009160 Kamata Isaho Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 2 Hoshino N. Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 3 0005408 Kato Tomohisa National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
共著者 4 0020091 Okumura Hajime National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
共著者 5 Kimoto T. Kyoto University
共著者 6 0013411 Tsuchida Hidekazu Central Research Institute of Electric Power Industry
関連課題情報
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