タイトル・発表先
39552
2020.03.06 10:11
10.4028/www.scientific.net/MSF.924.160
Immobilization Phenomenon of Partials Surrounding Double Shockley Stacking Faults in Heavily Nitrogen Doped 4H-SiC Crystal with Thermal Anneal
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
Materials Science Forum
924 2018 160
[A80] 産業利用
[M60] X線イメージング
著者情報
 
主著者 0006527 Sugiyama Naohiro National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
共著者 1 Suo Hiromasa
共著者 2 Eto Kazuma
共著者 3 0039591 Tokuda Yuichiro National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
共著者 4 0009160 Kamata Isaho Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 5 Hoshino Norihiro
共著者 6 0005408 Kato Tomohisa National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
共著者 7 0013411 Tsuchida Hidekazu Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 8 0020091 Okumura Hajime National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
関連課題情報
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