タイトル・発表先
39551
2020.03.06 09:58
10.7567/JJAP.57.090314
https://doi.org/10.7567/JJAP.57.090314
X-ray Topographical Analysis of 4H-SiC Epitaxial Layers using a Forward-Transmitted Beam under a Multiple-Beam Diffraction Condition
原著論文/博士論文/査読付プロシーディングス
Japanese Journal of Applied Physics
57 9 2018 090314
[A80] 産業利用
[M60] X線イメージング
著者情報
 
主著者 0009160 Kamata Isaho Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 1 0001231 Tsusaka Yoshiyuki University of Hyogo
共著者 2 0006449 Tanuma Ryohei Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 3 0001232 Matsui Junji University of Hyogo
関連課題情報
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