タイトル・発表先
研究成果番号
38290
登録日時
2019.07.31 16:10
DOI
10.1016/j.jmmm.2019.165536
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Low Write Current and Strong Durability in High-Speed Spintronics Memory (Spin-Hall MRAM and VoCSM) through Development of a Shunt-Free Design Process and W Spin-Hall Electrode
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
巻
491
号
発行年
2019
頁
165536
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
[A80] 産業利用
研究手法
[M50] 光電子分光
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
Kato
Yushi
Toshiba Corporation
共著者 1
Yoda
Hiroaki
Toshiba Corporation
共著者 2
0021764
Inokuchi
Tomoaki
Toshiba Corporation
共著者 3
Shimizu
Mariko
Toshiba Corporation
共著者 4
Ohsawa
Yuich
Toshiba Corporation
共著者 5
0042208
Fujii
Keiko
Toshiba Corporation
共著者 6
0004423
Yoshiki
Masahiko
Toshiba Corporation
共著者 7
Oikawa
Soichi
Toshiba Corporation
共著者 8
Shirotori
Satoshi
Toshiba Corporation
共著者 9
Koi
Katsuhiko
Toshiba Corporation
共著者 10
Shimomura
Naoharu
Toshiba Corporation
共著者 11
Altansargai
Buyandalai
Toshiba Corporation
共著者 12
Sugiyama
Hideyuki
Toshiba Corporation
共著者 13
Kurobe
Atsushi
Toshiba Corporation
関連課題情報
課題番号
2018A5360
ビームライン
BL16B2
実験責任者
藤井 景子
課題番号
2018B5360
ビームライン
BL16B2
実験責任者
藤井 景子
課題番号
2018B5060
ビームライン
BL16XU
実験責任者
藤井 景子