タイトル・発表先
37231
2018.12.05 14:14
10.7567/1347-4065/aae899
Ferroelectric Random Access Memory with High Electric Properties and High Production Yield Realized by Employing an AlOx Underlying Layer of Pt Bottom Electrode for a La-doped Lead Zirconate Titanate Capacitor
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
Japanese Journal of Applied Physics
58 1 2019 016503
[A80] 産業利用
[M10] X線回折
著者情報
 
主著者 Wang Wensheng Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 1 0003409 Nomura Kenji Fujitsu Laboratories, Ltd.
共著者 2 Nakamura Ko Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 3 Eshita Takashi Fujitsu Semiconductor, Ltd., Wakayama University
共著者 4 Ozawa Soichiro Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 5 Yamaguchi Hideshi Fujitsu Laboratories, Ltd.
共著者 6 Takai Kazuaki Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 7 Watanabe Junichi Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 8 Mihara Satoru Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 9 Hikosaka Yukinobu Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 10 Saito Hitoshi Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 11 Kataoka Yuji Fujitsu Laboratories, Ltd.
共著者 12 Kojima Manabu Fujitsu Semiconductor, Ltd.
関連課題情報
2017B5110 BL16XU 淡路 直樹
2018A5110 BL16XU 淡路 直樹