タイトル・発表先
研究成果番号
3693
登録日時
2007.01.30 10:56
DOI
10.1016/S0022-0248(01)02136-4
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Formation of Epitaxially Ordered SiO
2
in Oxygen-Implanted Silicon During Thermal Annealing
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Journal of Crystal Growth
巻
236
号
1-3
発行年
2002
頁
37-40
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
13th International Conference on Crystal Growth (ICCG-13)
開催日
2001.07.30-08.04
開催都市
Kyoto, Japan
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0001281
Shimura
Takayoshi
Osaka University
共著者 1
0004419
Hosoi
Takuji
Osaka University
共著者 2
0006085
Fukuda
Kazunori
Osaka University
共著者 3
0005066
Umeno
Masataka
Osaka University
共著者 4
Ogura
Atsushi
NEC Corporation
関連課題情報
課題番号
1999A0024
ビームライン
BL09XU
実験責任者
志村 考功