タイトル・発表先
36843
2018.09.27 19:44
10.7567/JJAP.57.11UA01
Development of Highly Reliable Ferroelectric Random Access Memory and its Internet of Things Applications
原著論文/博士論文/査読付プロシーディングス
Japanese Journal of Applied Physics
57 11S 2018 11UA01
[A80] 産業利用
[M10] X線回折
著者情報
 
主著者 Eshita Takashi Wakayama University, Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 1 Wang Wensheng Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 2 0003409 Nomura Kenji Fujitsu Laboratories, Ltd.
共著者 3 Nakamura Ko Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 4 Saito Hitoshi Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 5 Yamaguchi Hideshi Fujitsu Laboratories, Ltd.
共著者 6 Mihara Satoru Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 7 Hikosaka Yukinobu Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 8 Kataoka Yuji Fujitsu Laboratories, Ltd.
共著者 9 Kojima Manabu Fujitsu Semiconductor, Ltd.
関連課題情報
2018A5110 BL16XU 淡路 直樹
2017B5110 BL16XU 淡路 直樹