タイトル・発表先
36659
2018.09.05 22:00
10.1038/s41598-018-31485-4
Operation Mechanism of GaN-Based Transistors Elucidated by Element-Specific X-ray Nanospectroscopy
原著論文/博士論文/査読付プロシーディングス
Scientific Reports
8 2018 13268
著者情報
 
主著者 0040307 Omika Keiichi Tohoku University
共著者 1 0026587 Tateno Yasunori Sumitomo Electric Industries, Ltd.
共著者 2 0027489 Kouchi Tsuyoshi Sumitomo Electric Industries, Ltd.
共著者 3 0027505 Komatai Tsutomu Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.
共著者 4 Yaegassi Seiji Sumitomo Electric Industries, Ltd.
共著者 5 0034774 Yui Keiichi Sumitomo Electric Industries, Ltd.
共著者 6 Nakata Ken Sumitomo Electric Industries, Ltd.
共著者 7 0026912 Nagamura Naoka National Institute for Materials Science
共著者 8 0001254 Kotsugi Masato Tokyo University of Science
共著者 9 0002632 Horiba Koji High Energy Accelerator Research Organization
共著者 10 0004068 Oshima Masaharu The University of Tokyo
共著者 11 0016897 Suemitsu Maki Tohoku University
共著者 12 0016303 Fukidome Hirokazu Tohoku University
関連課題情報
2015B7494 BL07LSU 吹留 博一
2016B7513 BL07LSU 吹留 博一
2016B7514 BL07LSU 末光 眞希
2017A7526 BL07LSU 吹留 博一
2016A7402 BL07LSU 尾嶋 正治