タイトル・発表先
36649
2018.08.31 19:45
10.7567/JJAP.57.11UF01
Improvement of Ferroelectric Random Access Memory Manufacturing Margin by Employing Pt/AlOx Bottom Electrode for the La-Doped Pb(Zr,Ti)O3 Ferroelectric Capacitor
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
Japanese Journal of Applied Physics
57 11S 2018 11UF01
[A80] 産業利用
[M10] X線回折
著者情報
 
主著者 0003409 Nomura Kenji Fujitsu Laboratories, Ltd.
共著者 1 Wang Wensheng Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 2 Yamaguchi Hideshi Fujitsu Laboratories, Ltd.
共著者 3 Nakamura Ko Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 4 Eshita Takashi Fujitsu Semiconductor, Ltd., Wakayama University
共著者 5 Ozawa Soichiro Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 6 Takai Kazuaki Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 7 Mihara Satoru Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 8 Hikosaka Yukinobu Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 9 Hamada Makoto Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 10 Kojima Manabu Fujitsu Semiconductor, Ltd.
共著者 11 Kataoka Yuji Fujitsu Laboratories, Ltd.
関連課題情報
2018A5110 BL16XU 淡路 直樹
2017B5110 BL16XU 淡路 直樹