タイトル・発表先
36431
2018.07.12 21:41
10.1380/ejssnt.2018.257
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ejssnt/16/0/16_257/_article/-char/en
Photoelectron Nano-Spectroscopy of Reactive Ion Etching-Induced Damages to the Trench Sidewalls and Bottoms of 4H-SiC Trench-MOSFETs
反応性イオンエッチングによる4H-SiCトレンチMOSFETの溝側壁/底面上ダメージの光電子顕微分光解析
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology
16 2018 257-261
[A30] 物質科学・材料科学
[M50] 光電子分光
著者情報
 
主著者 0004068 Oshima Masaharu The University of Tokyo, Tokyo City University
共著者 1 0022672 Mori Daisuke Fuji Electric Corporation
共著者 2 0028428 Takigawa Aki Fuji Electric Corporation
共著者 3 Otsuki Akihiko Fuji Electric Corporation
共著者 4 0026912 Nagamura Naoka National Institute for Materials Science
共著者 5 0039687 Konno Shun Tokyo University of Science
共著者 6 0041977 Takahashi Yoshinobu Tokyo University of Science
共著者 7 0001254 Kotsugi Masato Tokyo University of Science
共著者 8 0008035 Nohira Hiroshi Tokyo City University
関連課題情報
2016A7402 BL07LSU 尾嶋 正治