タイトル・発表先
35576
2018.03.08 09:35
10.1384/jsa.24.56
https://www.jstage.jst.go.jp/article/jsa/24/1/24_56/_article/-char/ja/
Structural Analysis in the Surface of Nitride Semiconductor by Grazing Incidence X-ray Diffraction
微小角入射X線回折法による窒化物半導体表面の構造解析
原著論文/博士論文/査読付プロシーディングス
Journal of Surface Analysis
24 1 2017 55-60
[A80] 産業利用
[M10] X線回折
著者情報
 
主著者 0028927 Motoya Tsukasa Mitsubishi Electric Corporation
共著者 1 Kurahashi Kenichiro Mitsubishi Electric Corporation
共著者 2 0004121 Uehara Yasushi Mitsubishi Electric Corporation
関連課題情報
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