User Information

タイトル・発表先
研究成果番号	33989
登録日時	2017.06.29 13:06
DOI	10.1109/CSICS.2016.7751073
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル	Time-Resolved Micro-Beam X-Ray Absorption Fine Structure (XAFS) Measurement to Investigate the Cause of a Current Collapse of GaN-HEMTs
日本語タイトル
発表形式	原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）	誌名 2016 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium 巻号発行年 2016 頁 7751073
発表先（口頭／ポスター発表）	講演会名 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium 開催日 2016.10.23-10.26 開催都市 Austin, USA
研究分野	[A80] 産業利用
研究手法	[M40] X線・軟X線吸収分光

著者情報
	ユーザーカード番号	姓	名	所属
主著者	0026587	Tateno	Yasunori	Sumitomo Electric Industries, Ltd.
共著者 1	0027489	Kouchi	Tsuyoshi	Sumitomo Electric Industries, Ltd.
共著者 2	0027505	Komatai	Tsutomu	Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.
共著者 3		Yamamoto	Hiroshi	Sumitomo Electric Device Innovations, Inc.
共著者 4	0029241	Yonemura	Takumi	Sumitomo Electric Industries, Ltd.
共著者 5	0003239	Iihara	Junji	Sumitomo Electric Industries, Ltd.
共著者 6	0005588	Saito	Yoshihiro	Sumitomo Electric Industries, Ltd.
共著者 7		Nakabayashi	Takashi	Sumitomo Electric Industries, Ltd.