タイトル・発表先
研究成果番号
3327
登録日時
2007.01.30 10:56
DOI
10.1143/JJAP.41.L1013
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Measurement of Strain Distribution in InGaAsP Selective-Area Growth Layers Using a Micro-Area X-Ray Diffraction Method with Sub-μm Spatial Resolution
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Japanese Journal of Applied Physics
巻
41
号
9A/B
発行年
2002
頁
L1013-L1015
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0004124
Kimura
Shigeru
NEC Corporation
共著者 1
0001230
Kagoshima
Yasushi
Himeji Institute of Technology
共著者 2
0003403
Kobayashi
Kenji
NEC Corporation
共著者 3
0004081
Izumi
Koichi
NEC Corporation
共著者 4
Sakata
Yasutaka
NEC Kansai, Ltd.
共著者 5
Sudo
Shingo
NEC Compound Semiconductor Devices
共著者 6
0004807
Yokoyama
Yoshiyuki
Himeji Institute of Technology
共著者 7
0005964
Niimi
Toshihiro
Himeji Institute of Technology
共著者 8
0001231
Tsusaka
Yoshiyuki
Himeji Institute of Technology
共著者 9
0001232
Matsui
Junji
Himeji Institute of Technology
関連課題情報
課題番号
C01B5046
ビームライン
BL24XU
実験責任者
泉 弘一