タイトル・発表先
研究成果番号
31314
登録日時
2016.05.27 09:27
DOI
10.7567/JJAP.55.067102
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Pt–Ti–O Gate Silicon–Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistor Hydrogen Gas Sensors in Harsh Environments
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Japanese Journal of Applied Physics
巻
55
号
6
発行年
2016
頁
067102
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
[A80] 産業利用
研究手法
[M90] その他 放射線耐性
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0029988
Usagawa
Toshiyuki
Hitachi, Ltd.
共著者 1
0005099
Ueda
Kazuhiro
Hitachi, Ltd.
共著者 2
0022703
Nambu
Akira
Hitachi, Ltd.
共著者 3
0004140
Yoneyama
Akio
Hitachi, Ltd.
共著者 4
Kikuchi
Yota
Hitachi, Ltd.
共著者 5
Watanabe
Atsushi
Hitachi, Ltd.
関連課題情報
課題番号
2012B1193
ビームライン
BL08W
実験責任者
上田 和浩
課題番号
2011A2003
ビームライン
BL08W
実験責任者
上田 和浩
課題番号
2011B1649
ビームライン
BL08W
実験責任者
上田 和浩
課題番号
2012A5100
ビームライン
BL16XU
実験責任者
上田 和浩
課題番号
2012B5100
ビームライン
BL16XU
実験責任者
上田 和浩
課題番号
2013A5100
ビームライン
BL16XU
実験責任者
上田 和浩