タイトル・発表先
31154
2016.04.26 16:41
10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.59
Dislocation Analysis of 4H-SiC Crystals Obtained at Fast Growth Rate by the High-Temperature Gas Source Method
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
Materials Science Forum
778-780 2014 59-62
[A80] 産業利用
[M60] X線イメージング
著者情報
 
主著者 0009160 Kamata Isaho Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 1 Hoshino Norihiro Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 2 0039591 Tokuda Yuichiro R&D Partnership for Future Power Electronics Technology, Denso Corporation
共著者 3 Makino Emi R&D Partnership for Future Power Electronics Technology, Denso Corporation
共著者 4 Kojima Jun R&D Partnership for Future Power Electronics Technology, Denso Corporation
共著者 5 0013411 Tsuchida Hidekazu Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 6
関連課題情報
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