タイトル・発表先
研究成果番号
31001
登録日時
2016.04.12 00:02
DOI
10.1016/j.susc.2015.07.007
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Anisotropic Effective Mass Approximation Model to Calculate Multiple Subband Structures at Wide-Gap Semiconductor Surfaces: Application to Accumulation Layers of SrTiO
3
and ZnO
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Surface Science
巻
641
号
発行年
2015
頁
224-230
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
[A30] 物質科学・材料科学
研究手法
[M50] 光電子分光
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0027705
Yukawa
Ryu
The University of Tokyo
共著者 1
0028844
Ozawa
Kenichi
Tokyo Institute of Technology
共著者 2
0009972
Yamamoto
Susumu
The University of Tokyo
共著者 3
0032439
Liu
Ro-Ya
The University of Tokyo
共著者 4
0021381
Matsuda
Iwao
The University of Tokyo
関連課題情報
課題番号
2014A7466
ビームライン
BL07LSU
実験責任者
松田 巌