タイトル・発表先
研究成果番号
24494
登録日時
2013.07.17 11:37
DOI
10.1063/1.4812496
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
X-ray Microbeam Three-Dimensional Topography for Dislocation Strain-Field Analysis of 4H-SiC
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Journal of Applied Physics
巻
114
号
2
発行年
2013
頁
023511
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
[A30] 物質科学・材料科学
研究手法
[M10] X線回折
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0006449
Tanuma
Ryohei
Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 1
0022672
Mori
Daisuke
Fuji Electric Co., Ltd.
共著者 2
0009160
Kamata
Isaho
Central Research Institute of Electric Power Industry
共著者 3
0013411
Tsuchida
Hidekazu
Central Research Institute of Electric Power Industry
関連課題情報
課題番号
2011A3237
ビームライン
BL24XU
実験責任者
土田 秀一
課題番号
2011B3237
ビームライン
BL24XU
実験責任者
土田 秀一
課題番号
2012A3237
ビームライン
BL24XU
実験責任者
土田 秀一
課題番号
2012B3237
ビームライン
BL24XU
実験責任者
土田 秀一
課題番号
2012A3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
土田 秀一
課題番号
2012B3321
ビームライン
BL08B2
実験責任者
土田 秀一