タイトル・発表先
研究成果番号
21052
登録日時
2012.02.29 15:48
DOI
10.1143/JJAP.51.02BP01
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Observation of In-Plane Asymmetric Strain Relaxation during Crystal Growth and Growth Interruption in InGaAs/GaAs(001)
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Japanese Journal of Applied Physics
巻
51
号
2 Issue 2
発行年
2012
頁
02BP01
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0016163
Sasaki
Takuo
Toyota Technological Institute
共著者 1
0027035
Shimomura
Kenichi
Toyota Technological Institute
共著者 2
0016208
Suzuki
Hidetoshi
University of Miyazaki
共著者 3
0001168
Takahashi
Masamitsu
JAEA
共著者 4
0005744
Kamiya
Itaru
Toyota Technological Institute
共著者 5
0014251
Ohshita
Yoshio
Toyota Technological Institute
共著者 6
0023399
Yamaguchi
Masafumi
Toyota Technological Institute
関連課題情報
課題番号
2010A3571
ビームライン
BL11XU
実験責任者
山口 真史