タイトル・発表先
研究成果番号
20585
登録日時
2011.12.02 14:21
DOI
10.1063/1.3664832
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
X-ray Reciprocal Space Mapping of Dislocation-Mediated Strain Relaxation during InGaAs/GaAs(001) Epitaxial Growth
日本語タイトル
発表形式
原著論文/博士論文/査読付プロシーディングス
発表先(出版)
誌名
Journal of Applied Physics
巻
110
号
11
発行年
2011
頁
113502
発表先(口頭/ポスター発表)
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0016163
Sasaki
Takuo
Toyota Technological Institute
共著者 1
0016208
Suzuki
Hidetoshi
University of Miyazaki
共著者 2
0001168
Takahashi
Masamitsu
JAEA
共著者 3
0014251
Ohshita
Yoshio
Toyota Technological Institute
共著者 4
0005744
Kamiya
Itaru
Toyota Technological Institute
共著者 5
0023399
Yamaguchi
Masafumi
Toyota Technological Institute
関連課題情報
課題番号
2009A3573
ビームライン
BL11XU
実験責任者
山口 真史
課題番号
2009B3571
ビームライン
BL11XU
実験責任者
山口 真史