タイトル・発表先
研究成果番号
18780
登録日時
2011.05.30 11:09
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2010.10.005
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Growth Temperature Dependence of Strain Relaxation during InGaAs/GaAs(001) Heteroepitaxy
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Journal of Crystal Growth
巻
323
号
1
発行年
2011
頁
13-16
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0016163
Sasaki
Takuo
Toyota Technological Institute
共著者 1
0016208
Suzuki
Hidetoshi
University of Miyazaki
共著者 2
0024182
Sai
Akihisa
Toyota Technological Institute
共著者 3
0001168
Takahashi
Masamitsu
JAEA
共著者 4
0004806
Fujikawa
Seiji
JAEA
共著者 5
0005744
Kamiya
Itaru
Toyota Technological Institute
共著者 6
0014251
Ohshita
Yoshio
Toyota Technological Institute
共著者 7
0023399
Yamaguchi
Masafumi
Toyota Technological Institute
関連課題情報
課題番号
2009A3573
ビームライン
BL11XU
実験責任者
山口 真史
課題番号
2009B3571
ビームライン
BL11XU
実験責任者
山口 真史