タイトル・発表先
研究成果番号
18567
登録日時
2011.03.28 09:00
DOI
10.1063/1.3573789
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Direct Observation of N-(group V) Bonding Defects in Dilute Nitride Semiconductors Using Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Applied Physics Letters
巻
98
号
12
発行年
2011
頁
121915
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0021567
Ishikawa
Fumitaro
Osaka University
共著者 1
0027939
Fuyuno
Satoshi
Osaka University
共著者 2
0022140
Higashi
Kotaro
Osaka University
共著者 3
0022190
Kondow
Masahiko
Osaka University
共著者 4
0005913
Machida
Masatake
SPring-8/JASRI
共著者 5
0000627
Oji
Hiroshi
SPring-8/JASRI
共著者 6
0000618
Son
JinYoung
SPring-8/JASRI
共著者 7
Trampert
A.
Paul-Drude-Institute für Festköperelektronik
共著者 8
Umeno
K.
Toyohashi University of Technology
共著者 9
Furukawa
Y.
Toyohashi University of Technology
共著者 10
0003523
Wakahara
Akihiro
Toyohashi University of Technology
関連課題情報
課題番号
2008B1926
ビームライン
BL46XU
実験責任者
石川 史太郎