タイトル・発表先
研究成果番号
18499
登録日時
2011.03.03 17:26
DOI
10.1143/JPSJ.80.024709
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Low Critical Concentration of Metal-Insulator Transition of Vanadium Doped Amorphous Boron
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Journal of the Physical Society of Japan
巻
80
号
2
発行年
2011
頁
024709
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0021766
Tanabe
Kenji
The University of Tokyo
共著者 1
Soga
Kohei
Tokyo University of Science
共著者 2
0013243
Hosoi
Shizuka
The University of Tokyo, Sony Corporation
共著者 3
Osumi
Kazuaki
The University of Tokyo
共著者 4
Yamaguchi
Hideshi
The University of Tokyo
共著者 5
0000182
Uruga
Tomoya
SPring-8/JASRI
共著者 6
0006131
Kimura
Kaoru
The University of Tokyo
関連課題情報
課題番号
2007B1952
ビームライン
BL14B2
実験責任者
木村 薫
課題番号
2008A1828
ビームライン
BL14B2
実験責任者
木村 薫