タイトル・発表先
研究成果番号
1809
登録日時
2007.01.30 10:55
DOI
10.1143/JJAP.40.7129
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Capacitance X-Ray Absorption Fine Structure Method Using Dopant Photoionization: X-Ray Absorption Spectroscopy of ∼nm Thickness Channel in Semiconductor Devices
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Japanese Journal of Applied Physics
巻
40
号
12
発行年
2001
頁
7129-7134
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0001178
Ishii
Masashi
JASRI
関連課題情報
課題番号
1999B0168
ビームライン
BL10XU
実験責任者
石井 真史
課題番号
2000B0181
ビームライン
BL10XU
実験責任者
石井 真史