タイトル・発表先
研究成果番号
17485
登録日時
2010.09.21 19:21
DOI
10.1143/JJAP.49.095602
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Time-Resolved X-ray Diffraction Measurements of High-Density InAs Quantum Dots on Sb/GaAs Layers and the Suppression of Coalescence by Sb-Irradiated Growth Interruption
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Japanese Journal of Applied Physics
巻
49
号
9
発行年
2010
頁
095602
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0021029
Kakuda
Naoki
The University of Electro-Communications
共著者 1
0002841
Kaizu
Toshiyuki
National Institute for Materials Science
共著者 2
0001168
Takahashi
Masamitsu
JAEA
共著者 3
0004806
Fujikawa
Seiji
JAEA
共著者 4
0015224
Yamaguchi
Kouichi
The University of Electro-Communications
関連課題情報
課題番号
2009A3571
ビームライン
BL11XU
実験責任者
山口 浩一
課題番号
2008B3572
ビームライン
BL11XU
実験責任者
山口 浩一
課題番号
2008A3572
ビームライン
BL11XU
実験責任者
山口 浩一