タイトル・発表先
研究成果番号
16796
登録日時
2010.04.22 19:02
DOI
10.1143/JJAP.49.04DD11
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Study of Charge Trap Sites in SiN Films by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Japanese Journal of Applied Physics
巻
49
号
4
発行年
2010
頁
04DD11
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
[A10] 生命科学
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0015901
Kosemura
Daisuke
Meiji University
共著者 1
0020331
Takei
Munehisa
Meiji University
共著者 2
Nagata
Kohki
Meiji University
共著者 3
0023947
Akamatsu
Hiroaki
Meiji University
共著者 4
0022858
Hattori
Maki
Meiji University
共著者 5
Katayama
Daisuke
Tokyo Electron AT
共著者 6
0024071
Nishita
Tatsuo
Tokyo Electron AT
共著者 7
Hirota
Yoshihiro
Tokyo Electron AT
共著者 8
0005913
Machida
Masatake
SPring-8/JASRI
共著者 9
0000618
Son
JinYoung
SPring-8/JASRI
共著者 10
0005256
Koganezawa
Tomoyuki
SPring-8/JASRI
共著者 11
0002088
Hirosawa
Ichiro
SPring-8/JASRI
共著者 12
0015928
Ogura
Atsushi
Meiji University
関連課題情報
課題番号
2008B1917
ビームライン
BL46XU
実験責任者
小椋 厚志
課題番号
2008B2073
ビームライン
BL46XU
実験責任者
小椋 厚志