タイトル・発表先
研究成果番号
155
登録日時
2007.01.30 10:55
DOI
10.7567/JJAPS.38S1.191
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
XANES Analysis of Optical Activation Process of Er in Si: Er
2
O
3
Thin Film: Electronic and Structural Modifications around Er
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Japanese Journal of Applied Physics
巻
38
号
Supple.
発行年
1999
頁
191-194
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
International Conference on Synchrotron Radiation in Materials Science (SRMS)
開催日
1998.10.31-11.03
開催都市
Kobe, Japan
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0001178
Ishii
Masashi
JASRI
共著者 1
0003906
Komuro
Shuji
Toyo University
共著者 2
Morikawa
Takitaro
Toyo University
共著者 3
Aoyagi
Yoshinobu
RIKEN
共著者 4
0000179
Ishikawa
Tetsuya
JASRI
共著者 5
0000070
Ueki
Tatzuo
JASRI
関連課題情報
課題番号
1998A0134
ビームライン
BL10XU
実験責任者
石井 真史