タイトル・発表先
研究成果番号
14825
登録日時
2009.11.09 12:48
DOI
10.1088/1742-6596/190/1/012116
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Fluorescence XAFS Study of Local Structures in High-k Gate Dielectrics HfSiON/SiON/Si Annealed at Various Nitrogen Gas Partial Pressure
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Journal of Physics: Conference Series
巻
190
号
発行年
2009
頁
012116
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
International Conference on X-ray Absorption Fine Structure (XAFS)
開催日
2009.07.26-07.31
開催都市
Camerino, Italy
研究分野
[A10] 生命科学
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0007719
Ofuchi
Hironori
SPring-8/JASRI
共著者 1
0017294
Toyoda
Satoshi
The University of Tokyo
共著者 2
0019856
Ikeda
Kazuto
Semiconductor Technology Academic Research Center
共著者 3
0019854
Liu
Guo Lin
Semiconductor Technology Academic Research Center
共著者 4
0014110
Liu
Ziyuan
Semiconductor Technology Academic Research Center
共著者 5
0004068
Oshima
Masaharu
The University of Technology
関連課題情報
課題番号
2007B1939
ビームライン
BL14B2
実験責任者
尾嶋 正治
課題番号
2008A1928
ビームライン
BL14B2
実験責任者
尾嶋 正治