タイトル・発表先
研究成果番号
12762
登録日時
2008.07.14 09:38
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2008.05.008
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
In situ Determination of Sb Distribution in Sb/GaAs(0 0 1) Layer for High-density InAs Quantum Dot Growth
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
Journal of Crystal Growth
巻
310
号
15
発行年
2008
頁
3436-3439
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
開催日
開催都市
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0002841
Kaizu
Toshiyuki
National Institute for Materials Science
共著者 1
0001168
Takahashi
Masamitu
JAEA
共著者 2
0015224
Yamaguchi
Kouichi
University of Electro-Communications
共著者 3
0000302
Mizuki
Jun'ichiro
JAEA
関連課題情報
課題番号
2005B0167
ビームライン
BL11XU
実験責任者
山口 浩一
課題番号
2006B1638
ビームライン
BL11XU
実験責任者
山口 浩一