タイトル・発表先
11343
2007.08.22 10:13
10.1002/pssb.200674759
First-principles Calculation and X-ray Absorption Fine Structure Analysis of Fe Doping Mechanism for Semi-insulating GaN Growth on GaAs Substrates
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
Physica Status Solidi B
244 6 2007 1862-1866
著者情報
 
主著者 Togashi Rie Tokyo University of Agriculture and Technology
共著者 1 Satoh Fumitaka Tokyo University of Agriculture and Technology
共著者 2 Murakami Hisashi Tokyo University of Agriculture and Technology
共著者 3 0003239 Iihara Junji Sumitomo Electric Industries, Ltd.
共著者 4 0003845 Yamaguchi Koji Sumitomo Electric Industries, Ltd.
共著者 5 Kumagai Yoshinao Tokyo University of Agriculture and Technology
共著者 6 Koukitu Akinori Tokyo University of Agriculture and Technology
関連課題情報
C05A4030 BL16B2 飯原 順次