タイトル・発表先
研究成果番号
10719
登録日時
2007.03.03 14:40
DOI
10.1063/1.2436359
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル
Dislocation Elimination in Czochralski Silicon Crystal Growth Revealed by White X-ray Topography Combined with Topo-tomographic Technique
日本語タイトル
発表形式
原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）
誌名
AIP Conference Proceedings
巻
879
号
発行年
2007
頁
1545-1549
発表先（口頭／ポスター発表）
講演会名
International Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation (SRI)
開催日
2006.05.28-06.02
開催都市
Daegu, Korea
研究分野
研究手法
著者情報
ユーザーカード番号
姓
名
所属
コレスポンディング
オーサー
主著者
0003776
Kawado
Seiji
Rigaku Corporation
共著者 1
0001768
Iida
Satoshi
Toyama University
共著者 2
0001794
Kajiwara
Kentaro
SPring-8/JASRI
共著者 3
0001776
Suzuki
Yoshifumi
Kyushu Institute of Technology
共著者 4
0001769
Chikaura
Yoshinori
Kyushu Institute of Technology
関連課題情報
課題番号
2004B0532
ビームライン
BL28B2
実験責任者
川戸 清爾