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タイトル・発表先
研究成果番号	10100
登録日時	2007.01.30 10:57
DOI	10.11470/oubutsu.75.9_1140
オープンアクセスジャーナルURL	https://doi.org/10.11470/oubutsu.75.9_1140
英語タイトル	Growth and Dislocation-Structural Analysis of Ultrahigh-Quality Silicon Carbide Single Crystals
日本語タイトル	低転位密度SiC単結晶成長と転位構造解析
発表形式	原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）	誌名応用物理 (Journal of Applied Physics, Japan) 巻 75 号 9 発行年 2006 頁 1140-1143
発表先（口頭／ポスター発表）	講演会名開催日開催都市
研究分野
研究手法

著者情報
	ユーザーカード番号	姓	名	所属	コレスポンディングオーサー
主著者	0007676	Nakamura	Daisuke	Toyota Central R&D Laboratories, Inc.
共著者 1	0006044	Yamaguchi	Satoshi	Toyota Central R&D Laboratories, Inc.