User Information

タイトル・発表先
研究成果番号	10096
登録日時	2007.01.30 10:57
DOI	10.1016/j.mee.2005.10.039
オープンアクセスジャーナルURL
英語タイトル	Ultrahigh-quality Single Crystals of Silicon Carbide by Alternate Repetition of Growth Perpendicular to c-axis
日本語タイトル
発表形式	原著論文／博士論文／査読付プロシーディングス
発表先（出版）	誌名 Microelectronic Engineering 巻 83 号 1 発行年 2006 頁 139-141
発表先（口頭／ポスター発表）	講演会名開催日開催都市
研究分野
研究手法

著者情報
	ユーザーカード番号	姓	名	所属	コレスポンディングオーサー
主著者	0007676	Nakamura	Daisuke	Toyota Central Research and Development Laboratories, Inc.